본 발명은 Ni층 위에 NiO층이 형성된 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 Si 기판 위에 Ni층을 증착하고 마이크로파를 조사하여 Ni층의 일부가 NiO층으로 산화된 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 기판에 스퍼터링하여 일정두께( )의 Ni층을 증착하는 단계; 및 상기 Ni층에 마이크로파를 조사하여 상기 Ni층 중 일부를 일정깊이( )를 가지는 NiO층으로 산화시키는 단계; 를 포함하는 것이 바람직하다.
자료출처 : KIPRIS (https://www.kipris.or.kr)
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