본 발명의 일측면에 따르면, P +형 기판; 상기 P+형 기판 상부에 형성된 N -드리프트층 영역; 상기 P +형 기판 하부 에 형성된 콜랙터 전극; 상기 N- 드리프트층 영역 내의 일측 상단부에 제1 절연막으로 둘러싸여 트렌치 구조로 형성된 수직형 제2 게이트; 상기 N- 드리프트층 영역의 상부에 상기 수직형 제2 게이트와 수평 이격 간격을 가지 (뒷면에 계속) 대 표 도 - 도2 등록특허 10-1759241 - 1 - 며, 제2 절연막으로 둘러싸여 플래너 구조로 형성된 플래너형 제1 게이트; 상기 N-드리프트층 영역의 상부 측에 형성되며, 일측 하부가 상기 수직형 제2 게이트에 인접하고, 타측은 상기 플래너형 제1 게이트(21)를 둘러싸도록 형성되는 에미터 전극부; 상기 N- 드리프트층 영역 내 상단부의 일부분에 형성되되, 상기 수직형 제2 게이트에 인접하여 형성된 된 제1P-base 영역; 일측부가 상기 제1 P-base 영역의 경계면에 접하여 형성되고, 타측부가 상 기 플래너형 제1 게이트의 하부와 인접하여 형성된 제2 PP-base 영역; 상기 제1 P-base 영역 및 제2 PP-base 영 역의 경계부의 상단에 형성되는 P+영역; 일측이 상기 수직형 제2 게이트에 인접하고 상부 측이 상기 에미터 전극 부의 하측과 접촉되도록 형성되는 제1 N +부; 및 상기 플래너형 제1 게이트의 하부와 상측 일부분이 인접하고, 나 머지 상측 부분이 상기 에미터 전극의 하부와 접촉되도록 형성되는 제2 N +부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 게이트 구조를 가진 전력 IGBT가 제공된다.
자료출처 : KIPRIS (https://www.kipris.or.kr) |
